STMICROELECTRONICS 2N3439 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 40 hFE
Bipolar BJT Transistor NPN 350 V 1 A 15MHz 1 W Through Hole TO-39
得捷:
TRANS NPN 350V 1A TO39
艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 1A 10000mW 3-Pin TO-39 Bag
富昌:
2N3439 Series 350 V 1 W NPN Through Hole Silicon Transistor - TO-39
TME:
Transistor: bipolar, NPN; 450V; 1A; 1W; TO5
Verical:
Trans GP BJT NPN 350V 1A 10000mW 3-Pin TO-39 Bag
频率 15 MHz
额定电压DC 450 V
额定电流 1.00 A
额定功率 1 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
集电极击穿电压 450 V
击穿电压集电极-发射极 350 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
封装 TO-39
材质 Silicon
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2N3439 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
JANTXV2N3439 美高森美 | 功能相似 | 2N3439和JANTXV2N3439的区别 |
2N3439L 美高森美 | 功能相似 | 2N3439和2N3439L的区别 |