2SK3816-DL-1E

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2SK3816-DL-1E概述

N-Channel Power MOSFET, 60V, 40A, 26mΩ, Single TO-262-3L/TO-263-2L

表面贴装型 N 通道 60 V 40A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) TO-263-2


得捷:
MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2 / N-Channel 60 V 40A Ta 1.65W Ta, 50W Tc Surface Mount TO-263-2


2SK3816-DL-1E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.65 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 160 ns

输入电容Ciss 1780pF @20VVds

下降时间 160 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.65W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK3816-DL-1E
型号: 2SK3816-DL-1E
描述:N-Channel Power MOSFET, 60V, 40A, 26mΩ, Single TO-262-3L/TO-263-2L

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