互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching amplifier applications. The NPN and MJ2955 PNPare complementary devices.
Features
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- DC Current Gain - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
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- Collector-Emitter Saturation Voltage - VCEsat = 1.1 Vdc Max @ IC = 4 Adc
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- Excellent Safe Operating Area
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- Pb-Free Packages are Available
额定电压DC 60.0 V
额定电流 15.0 A
极性 NPN
耗散功率 115000 mW
击穿电压集电极-发射极 60.0 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 70
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 115000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
最小包装 100
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N3055 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N3055G 安森美 | 类似代替 | 2N3055和2N3055G的区别 |
2N3055AG 安森美 | 类似代替 | 2N3055和2N3055AG的区别 |
JANTXV2N3055 美高森美 | 功能相似 | 2N3055和JANTXV2N3055的区别 |