2SJ661-1E参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SJ661-1E概述

P沟道 60V 38A

2SJ661 is a P-Channel Power MOSFET, -60V, -38A, 39mΩ, TO-262-3L/TO-263-2L for General-Purpose Swiching Device Application.

Features

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.: ON-resistance RDSon1 = 29.5mΩ typ

.: Input capacitance Ciss = 4360pF typ

.: 4V drive

得捷:
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3

立创商城:
P沟道 60V 38A

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 38A 3-Pin3+Tab SMP Magazine

安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 38A 3-Pin3+Tab SMP Magazine

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 38A

2SJ661-1E中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.65W Ta, 65W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 38A

上升时间 285 ns

输入电容Ciss 4360pF @20VVds

下降时间 195 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.65W Ta, 65W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ661-1E

型号： 2SJ661-1E

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：P沟道 60V 38A

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