高功率PNP外延平面型双极晶体管 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
- 双极 BJT - 单 PNP 120 V 8 A 20MHz 80 W 通孔 TO-3P
得捷:
TRANS PNP 120V 8A TO-3P
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT High power PNP Bipolar transistor
艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
富昌:
2STA1694 系列 120 V 8A 大功率 PNP外延平面双极晶体管 TO-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
Verical:
Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
频率 20 MHz
极性 PNP
耗散功率 80000 mW
增益频宽积 20 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 70 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 70
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99