2STW200

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2STW200概述

互补功率达林顿晶体管 Complementary power Darlington transistors

Look no further than STMicroelectronics" PNP Darlington transistor, which can amplify the signal to provide higher current gains. This product"s maximum continuous DC collector current is 25 A, while its minimum DC current gain is 300@20A@3 V|500@10A@3V|600@5A@3V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.2@20mA@5A|1.75@40mA@10A|3.5@80mA@20A V. This Darlington transistor array"s maximum base emitter saturation voltage is 3.3@80mA@20A V. Its maximum power dissipation is 130000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This Darlington transistor array has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V.

2STW200中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 130 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 500 @10A, 3V

额定功率Max 130 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 130000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2STW200
型号: 2STW200
描述:互补功率达林顿晶体管 Complementary power Darlington transistors
替代型号2STW200
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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