2STC4467概述
高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
- 双极 BJT - 单 NPN 120 V 8 A 20MHz 80 W 通孔 TO-3P
得捷:
TRANS NPN 120V 8A TO-3P
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT High power NPN Bipolar transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
富昌:
2STC4467 系列 120 V 8 A NPN 外延 平面 双极型 晶体管 - TO-3P
Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
2STC4467中文资料参数规格
技术参数
频率 20 MHz
极性 NPN
耗散功率 80000 mW
增益频宽积 20 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 70 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 70
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买2STC4467
型号： 2STC4467
描述：高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor