2SJ661-DL-1E概述
P沟道 60V 38A
表面贴装型 P 通道 60 V 38A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） TO-263-2
得捷:
MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
立创商城:
P沟道 60V 38A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 38A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
2SJ661-DL-1E中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.65W Ta, 65W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 285 ns
输入电容Ciss 4360pF @20VVds
下降时间 195 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.65W Ta, 65W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-2
外形尺寸
封装 TO-263-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
在线购买2SJ661-DL-1E
替代型号2SJ661-DL-1E
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SJ661-DL-1E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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