2N6123参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2N6123中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 20 @1.5A, 2V

额定功率Max 40 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N6123

型号： 2N6123

制造商： Central Semiconductor

描述：80 V 4 A 40 W NPN 通孔硅功率晶体管 - TO-220-3

替代型号2N6123

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2N6123

Central Semiconductor

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2N6123LEADFREE

Central Semiconductor

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2N6123和2N6123LEADFREE的区别