高功率NPN硅晶体管 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
DESCRIPTION
The , 2N3772 are silicon epitaxial-base NPN transistors mounted in Jedec Jedec TO-3 metal case. They are intended for linear amplifiers and inductive switching applications.
■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
得捷:
TRANS NPN 40V 30A TO3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Power Switching
艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 30A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Bag
TME:
Transistor: bipolar, NPN; 50V; 30A; 150W; TO3
Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 30A 3-Pin2+Tab TO-3 Bag
频率 0.2 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 30.0 A
额定功率 150 W
极性 NPN
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 4V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 150 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-3
长度 39.5 mm
宽度 26.2 mm
高度 8.7 mm
封装 TO-3
材质 Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N3771 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2N3055G 安森美 | 功能相似 | 2N3771和2N3055G的区别 |
2N3055AG 安森美 | 功能相似 | 2N3771和2N3055AG的区别 |
2N3442G 安森美 | 功能相似 | 2N3771和2N3442G的区别 |