2SC5200RTU参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5200RTU概述

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN 250V 17A 30MHz 150W Through Hole TO-264-3

得捷:
TRANS NPN 250V 17A TO264-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 230V 15A 150W

艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 17A 3-Pin3+Tab TO-264 Tube

Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 250V 17A 3-Pin3+Tab TO-264 Tube

Win Source:
TRANS NPN 250V 17A TO264

2SC5200RTU中文资料参数规格

技术参数

频率 30 MHz

极性 NPN

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 17A

最小电流放大倍数hFE 55 @1A, 5V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20 mm

宽度 5 mm

高度 26 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5200RTU

型号： 2SC5200RTU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

替代型号2SC5200RTU