NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
NPN 功率，
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 4 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 25.0 A
额定功率 200 W
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 0.875℃/W RθJC
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 20 @10A, 4V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 4
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5886G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5885G 安森美 | 类似代替 | 2N5886G和2N5885G的区别 |
TIP100G 安森美 | 功能相似 | 2N5886G和TIP100G的区别 |
TIP101G 安森美 | 功能相似 | 2N5886G和TIP101G的区别 |