2SK4177-DL-1E

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2SK4177-DL-1E概述

ON SEMICONDUCTOR  2SK4177-DL-1E  Power MOSFET, N Channel, 2 A, 1.5 kV, 10 ohm, 10 V 新

表面贴装型 N 通道 1500 V 2A(Ta) 80W(Tc) TO-263-2


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2


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2SK4177-DL-1E


贸泽:
MOSFET NCH 2A 1500V 13OHMS TO263


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晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 1.5 kV, 10 ohm, 10 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1500V 2A 3-Pin TO-263 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2SK4177-DL-1E  MOSFET, N CHANNEL, 1.5KV, 2A, TO-263-2L


2SK4177-DL-1E中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 10 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 1.5 kV

漏源击穿电压 1500 V

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 380pF @30VVds

下降时间 59 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买2SK4177-DL-1E
型号: 2SK4177-DL-1E
描述:ON SEMICONDUCTOR  2SK4177-DL-1E  Power MOSFET, N Channel, 2 A, 1.5 kV, 10 ohm, 10 V 新
替代型号2SK4177-DL-1E
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