ON SEMICONDUCTOR 2N5302G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 2 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 30 A 2MHz 200 W 通孔 TO-204(TO-3)
得捷:
TRANS NPN 60V 30A TO204
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2N5302G
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Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN
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Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 5 hFE
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Win Source:
TRANS NPN 60V 30A TO204 / Bipolar BJT Transistor NPN 60 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-204 TO-3
频率 2 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 30.0 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 200 W
增益频宽积 2 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 30A
最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 2V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 2
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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