ON SEMICONDUCTOR 2N6287G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 100 hFE 新
The is a -100V Silicon PNP Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
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- High DC current gain
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- Collector-emitter sustaining voltageVce sus = 100VDC minimum
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- Collector-base voltage Vcbo = 100V
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- Emitter-base voltage Vcbo = 5V
额定电压DC -100 V
额定电流 -20.0 A
输出电压 100 V
输出电流 20 A
针脚数 2
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 160 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 20A
最小电流放大倍数hFE 750 @10A, 3V
最大电流放大倍数hFE 18000
额定功率Max 160 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 160000 mW
输入电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N6287G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6286G 安森美 | 类似代替 | 2N6287G和2N6286G的区别 |
2N6287 安森美 | 功能相似 | 2N6287G和2N6287的区别 |