2SK3811-ZP-E1-AY参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SK3811-ZP-E1-AY概述

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3Pin2+Tab D2PAK

表面贴装型 N 通道 110A（Tc） 1.5W（Ta），213W（Tc） TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

2SK3811-ZP-E1-AY中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5W Ta, 213W Tc

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 17700pF @10VVds

额定功率Max 1.5 W

耗散功率Max 1.5W Ta, 213W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK3811-ZP-E1-AY引脚图与封装图

2SK3811-ZP-E1-AY引脚图

2SK3811-ZP-E1-AY封装图

2SK3811-ZP-E1-AY封装焊盘图

在线购买2SK3811-ZP-E1-AY

型号： 2SK3811-ZP-E1-AY

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3Pin2+Tab D2PAK