2SK1341-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SK1341-E概述

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

通孔 N 通道 6A（Ta） 100W（Tc） TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin3+Tab TO-3P

安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin3+Tab TO-3P

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 900V 6A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube

2SK1341-E中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 900 V

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 980pF @10VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK1341-E引脚图与封装图

在线购买2SK1341-E

型号： 2SK1341-E

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

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