2N5682

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2N5682概述

2N 系列 120 V 1 A NPN 互补 硅 大功率晶体管 - TO-39

The three terminals of this NPN GP BJT from give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 120 V and a maximum emitter base voltage of 4 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

2N5682中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

耗散功率 1 W

增益频宽积 30 MHz

最小电流放大倍数hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

长度 9.4 mm

宽度 9.4 mm

高度 6.6 mm

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5682
型号: 2N5682
制造商: Central Semiconductor
描述:2N 系列 120 V 1 A NPN 互补 硅 大功率晶体管 - TO-39
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