频率 50 MHz
极性 PNP
耗散功率 10 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 75 V
最小电流放大倍数hFE 30 @500mA, 4V
额定功率Max 10 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
2N5322
Central Semiconductor
当前型号
2N5322LEADFREE
功能相似