2N5322

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2N5322中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

极性 PNP

耗散功率 10 W

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 75 V

最小电流放大倍数hFE 30 @500mA, 4V

额定功率Max 10 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 10000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5322
型号: 2N5322
制造商: Central Semiconductor
描述:2N Series 75V 2A PNP Through Hole Silicon Switching Transistor - TO-39
替代型号2N5322
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5322

Central Semiconductor

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2N5322LEADFREE

Central Semiconductor

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2N5322和2N5322LEADFREE的区别

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