2N4036

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2N4036中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 7000 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N4036
型号: 2N4036
制造商: Central Semiconductor
描述:2N 系列 65 V 150 mA PNP 通孔 小信号 晶体管 - TO-39
替代型号2N4036
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N4036

Central Semiconductor

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2N4036LEADFREE

Central Semiconductor

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2N4036和2N4036LEADFREE的区别

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