2N1131 PBFREE

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2N1131 PBFREE概述

Trans GP BJT PNP 35V 0.6A 3Pin TO-39 Box

Thanks to , your circuit can handle high levels of voltage using the PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 600 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 35 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

2N1131 PBFREE中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

耗散功率 0.6 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N1131 PBFREE
型号: 2N1131 PBFREE
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans GP BJT PNP 35V 0.6A 3Pin TO-39 Box

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