2SK2221-E概述
硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
N-Channel 200V 8A Ta 100W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 200V 8A TO3P
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 8A Automotive 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 8A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 8A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 8A Automotive 3-Pin3+Tab TO-3P Tube
2SK2221-E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 8.00 A
极性 N-CH
耗散功率 100 W
输入电容 600 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
输入电容Ciss 600pF @10VVds
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK2221-E引脚图与封装图 
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