2N6193

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2N6193概述

PNP中功率硅晶体管 PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin TO-39


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag


2N6193中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6193
型号: 2N6193
描述:PNP中功率硅晶体管 PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号2N6193
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N6193

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N6193

美高森美

完全替代

2N6193和JANTX2N6193的区别

JANTXV2N6193

美高森美

完全替代

2N6193和JANTXV2N6193的区别

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