2N6341G

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2N6341G概述

高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

- 双极 BJT - 单


得捷:
TRANS NPN 150V 25A TO-3


立创商城:
2N6341G


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 12 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


安富利:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Verical:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N6341G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 150 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 40 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


2N6341G中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC 150 V

额定电流 25.0 A

针脚数 2

极性 NPN

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 30 @10A, 2V

最大电流放大倍数hFE 120

额定功率Max 200 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: 2N6341G
描述:高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
替代型号2N6341G
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