高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
- 双极 BJT - 单
得捷:
TRANS NPN 150V 25A TO-3
立创商城:
2N6341G
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 12 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
安富利:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Verical:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 2N6341G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 150 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 40 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
频率 40 MHz
额定电压DC 150 V
额定电流 25.0 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 30 @10A, 2V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6341G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6341 安森美 | 类似代替 | 2N6341G和2N6341的区别 |
2N6284G 安森美 | 功能相似 | 2N6341G和2N6284G的区别 |