2N3057A

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2N3057A概述

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

This NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

2N3057A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N3057A
型号: 2N3057A
描述:低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
替代型号2N3057A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N3057A

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

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完全替代

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