2N3507

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2N3507概述

NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

This family of 2N3506 through A high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  These devices are also available in TO-5 and low profile U4 packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

2N3507中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N3507
型号: 2N3507
描述:NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号2N3507
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N3507

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JAN2N3507

美高森美

完全替代

2N3507和JAN2N3507的区别

2N3507A

美高森美

完全替代

2N3507和2N3507A的区别

JANTX2N3507A

美高森美

完全替代

2N3507和JANTX2N3507A的区别

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