2N3737

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2N3737概述

硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Design various electronic circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

2N3737中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买2N3737
型号: 2N3737
描述:硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
替代型号2N3737
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N3737

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JAN2N3737

美高森美

完全替代

2N3737和JAN2N3737的区别

JANTXV2N3737

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完全替代

2N3737和JANTXV2N3737的区别

JANTX2N3737

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