2N3700UB参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N3700UB概述

Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin UB

This NPN ceramic surface mount device is military qualified for high-reliability applications.

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle

2N3700UB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N3700UB

型号： 2N3700UB

描述：Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin UB

替代型号2N3700UB