2N6297参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N6297概述

TO-66 PNP 80V 4A

Power Transistors TO-66 Case

艾睿:
Trans Darlington PNP 80V 4A 50000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Sleeve

2N6297中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 50000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V

最大电流放大倍数hFE 18000 @2A, 3V

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 4MHz Min

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66-2

外形尺寸

封装 TO-66-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6297

型号： 2N6297

制造商： Central Semiconductor

描述：TO-66 PNP 80V 4A

替代型号2N6297

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2N6297 Central Semiconductor	当前型号	当前型号
NTE275 NTE Electronics	功能相似	2N6297和NTE275的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2N6297

Central Semiconductor

当前型号

NTE275

NTE Electronics

功能相似