2N2484UB参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N2484UB概述

NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 50mA 360mW Surface Mount UB

艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UB Waffle

Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UB Waffle

2N2484UB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 225 @10mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N2484UB

型号： 2N2484UB

描述：NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

替代型号2N2484UB