2N2369AUB

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2N2369AUB概述

硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4.5 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 15 V and a maximum emitter base voltage of 4.5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

2N2369AUB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-18-3

外形尺寸

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买2N2369AUB
型号: 2N2369AUB
描述:硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
替代型号2N2369AUB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N2369AUB

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANS2N2369AUB

美高森美

完全替代

2N2369AUB和JANS2N2369AUB的区别

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