2N2945AUB

2N2945AUB图片1
2N2945AUB图片2
2N2945AUB概述

UB PNP 20V 0.1A

This 2N2944AUB through 2N2946AUB PNP silicon transistor device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT


艾睿:
Trans GP BJT PNP 20V 0.1A 3-Pin UB


Verical:
Trans GP BJT PNP 20V 0.1A 400mW 4-Pin Case UB


2N2945AUB中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 400 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 70

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买2N2945AUB
型号: 2N2945AUB
描述:UB PNP 20V 0.1A

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司