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2N6990概述

多个（ QUAD ） NPN硅双列直插式 MULTIPLE QUAD NPN SILICON DUAL IN-LINE

Design various electronic circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 400 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

2N6990中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 TO-116-14

外形尺寸

封装 TO-116-14

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6990

型号： 2N6990

制造商： Microsemi 美高森美

描述：多个（ QUAD ） NPN硅双列直插式 MULTIPLE QUAD NPN SILICON DUAL IN-LINE

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替代型号2N6990

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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