2N6351参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

2N6351图片1

2N6351中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 5A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-33

外形尺寸

封装 TO-33

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6351

型号： 2N6351

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号2N6351

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2N6351 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JAN2N6351 美高森美	类似代替	2N6351和JAN2N6351的区别
JANTXV2N6351 美高森美	类似代替	2N6351和JANTXV2N6351的区别
JANTX2N6351 美高森美	类似代替	2N6351和JANTX2N6351的区别