2N4235

2N4235图片1
2N4235概述

NPN功率放大器硅晶体管 NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

This family of 2N4234, , and 2N4236 silicon transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag


2N4235中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 40 @100mA, 1V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N4235
型号: 2N4235
描述:NPN功率放大器硅晶体管 NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

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