2N6989

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2N6989中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 14

封装 DIP-14

外形尺寸

封装 DIP-14

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N6989
型号: 2N6989
描述:多个( QUAD ) NPN硅双列直插式和FLATPACK开关晶体管 MULTIPLE QUAD NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR
替代型号2N6989
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N6989

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTXV2N6989

美高森美

完全替代

2N6989和JANTXV2N6989的区别

JANTX2N6989

美高森美

完全替代

2N6989和JANTX2N6989的区别

JAN2N6989

美高森美

完全替代

2N6989和JAN2N6989的区别

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