2N5157

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2N5157概述

Trans GP BJT NPN 500V 3.5A 3Pin2+Tab TO-3

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 5000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 500 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

2N5157中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买2N5157
型号: 2N5157
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Trans GP BJT NPN 500V 3.5A 3Pin2+Tab TO-3
替代型号2N5157
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