2N2857UB

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2N2857UB概述

Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 3Pin UB

RF NPN 15V 40mA 200mW 表面贴装型 UB


得捷:
RF TRANS NPN 15V 0.04A UB


艾睿:
This 2N2857UB RF amplifier from Microsemi is designed to operate in high radio frequency input power situations and is perfect for a variety of applications. This product&s;s minimum DC current gain is 30@3mA@1 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.4@1mA@10mA V. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.


Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB


2N2857UB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 21 dB

最小电流放大倍数hFE 30 @3mA, 1V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N2857UB
型号: 2N2857UB
描述:Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 3Pin UB
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