2N7635-GA

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2N7635-GA概述

Trans JFET N-CH 650V 4A SiC 3Pin3+Tab TO-257 Isolated

650V 4A Tc 165°C 47W Tc Through Hole TO-257


得捷:
TRANS SJT 650V 4A TO257


艾睿:
Trans JFET N-CH 650V 4A SiC 3-Pin3+Tab TO-257 Isolated


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  2N7635-GA  JFET Transistor, Junction Field Effect, TO-257, JFET


2N7635-GA中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 47W Tc

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 324pF @35VVds

工作温度Max 250 ℃

耗散功率Max 47W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-257-3

外形尺寸

封装 TO-257-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 225℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买2N7635-GA
型号: 2N7635-GA
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Trans JFET N-CH 650V 4A SiC 3Pin3+Tab TO-257 Isolated

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