2N7051参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N7051概述

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

• This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage.

• Sourced from Process 06.

• See 2N7052 for Characteristics.

贸泽:
Darlington Transistors NPN Transistor Darlington

罗切斯特:
Trans Darlington NPN 100V 1.5A 3-Pin TO-92 Bulk

2N7051中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200MHz Min

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N7051

型号： 2N7051

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

替代型号2N7051