2N5308_D75Z概述
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
• This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A.
• Sourced from process 05.
• See MPSA14 for characteristics.
贸泽:
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 40V 1.2A 3-Pin TO-92 Ammo
2N5308_D75Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 1.20 A
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1.2A
最小电流放大倍数hFE 7000 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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