2N6341参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N6341概述

高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 150 V 25 A 40MHz 200 W 通孔 TO-204（TO-3）

得捷:
TRANS NPN 150V 25A TO204

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 25A 150V 200W NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin 2+Tab TO-204 Tray

2N6341中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 25.0 A

极性 NPN

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 30 @10A, 2V

最大电流放大倍数hFE 120

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

最小包装 100

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买2N6341

型号： 2N6341

描述：高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

替代型号2N6341