2N6426参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N6426概述

达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 - 通孔 TO-92（TO-226）

得捷:
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

艾睿:
Trans Darlington NPN 40V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Box

2N6426中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 500 mA

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 30000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： 2N6426

描述：达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

替代型号2N6426