2N5400RLRPG参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5400RLRPG概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

- 双极 BJT - 单 PNP 120 V 600 mA 400MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

得捷:
TRANS PNP 120V 0.6A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 130V PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo

2N5400RLRPG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -120 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

耗散功率 225 mW

增益频宽积 400 MHz

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： 2N5400RLRPG

描述：放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

替代型号2N5400RLRPG