NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
• High Voltage : VCEO= 300V
• Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 1.8pF at VCB = 30V
• Excellent Gain Linearity for low THD
• High Frequency: 150MHz
• Full thermal and electrical Spice models are available
• Complement to 2SA1381/KSA1381.
Applications
• Audio, Voltage Amplifier and Current Source
• CRT Display, Video Output
• General Purpose Amplifier
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 300V 0.1A 7W
艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 3-Pin3+Tab TO-126 Tube
极性 NPN
耗散功率 7000 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 7 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube, Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2SC3503CSTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSC3503DSTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2SC3503CSTU和KSC3503DSTU的区别 |