2SC3503CSTU

2SC3503CSTU图片1
2SC3503CSTU图片2
2SC3503CSTU图片3
2SC3503CSTU图片4
2SC3503CSTU概述

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features

• High Voltage : VCEO= 300V

• Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 1.8pF at VCB = 30V

• Excellent Gain Linearity for low THD

• High Frequency: 150MHz

• Full thermal and electrical Spice models are available

• Complement to 2SA1381/KSA1381.

Applications

• Audio, Voltage Amplifier and Current Source

• CRT Display, Video Output

• General Purpose Amplifier


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 300V 0.1A 7W


艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 3-Pin3+Tab TO-126 Tube


2SC3503CSTU中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 7000 mW

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 7 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC3503CSTU
型号: 2SC3503CSTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
替代型号2SC3503CSTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SC3503CSTU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

KSC3503DSTU

飞兆/仙童

类似代替

2SC3503CSTU和KSC3503DSTU的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台