双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar BJT Transistor NPN 140V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
频率 300 MHz
额定电压DC 140 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N5550TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5550TFR 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5550TF和2N5550TFR的区别 |
2N5550TA 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5550TF和2N5550TA的区别 |
2N5550BU 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5550TF和2N5550BU的区别 |