高电压晶体管 High Voltage Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 250 V 500 mA 200MHz 625 mW 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 250V 0.5A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 250V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box
额定电压DC 250 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 250 V
最小电流放大倍数hFE 45 @50mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6515 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6517TA 安森美 | 类似代替 | 2N6515和2N6517TA的区别 |
2N6517BU 安森美 | 类似代替 | 2N6515和2N6517BU的区别 |
2N6517CTA 安森美 | 类似代替 | 2N6515和2N6517CTA的区别 |