2N5400G参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5400G概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 120V 600mA 400MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 120V 0.6A TO92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 130V PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 120V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk

2N5400G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -120 V

额定电流 500 mA

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5400G

型号： 2N5400G

描述：放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

替代型号2N5400G