Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin TO-92 T/R
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 100mA 30MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100µA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N5210TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5210TAR 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5210TF和2N5210TAR的区别 |
2N5210NMBU 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5210TF和2N5210NMBU的区别 |
2N5210TA 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N5210TF和2N5210TA的区别 |