2N6518TA参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N6518TA概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial

Bipolar BJT Transistor PNP 250V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 250V 0.5A TO92-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial

艾睿:
Trans GP BJT PNP 250V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 250V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo

2N6518TA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -250 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 45 @50mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6518TA

型号： 2N6518TA

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial

替代型号2N6518TA